Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC5706FA

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2SC5706FA. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 7.5A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.135V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2039. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.

Technische Dokumentation

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2SC5707FA

2SC5707FA

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netztei...
2SC5707FA
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707T. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040FA
2SC5707FA
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707T. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040FA
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