Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SD1133

2SD1133
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Set mit 1

2SD1133. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 230. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 4A. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.

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