2SD2375

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2SD2375. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50MHz. Funktion: Leistungsverstärkung mit hohem Vorwärtsstrom. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Temperatur: +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: 2.37k Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 05:25.

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