2SK1213

2SK1213. C(in): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 300uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 10:25.