2SK1217

2SK1217. C(in): 1400pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 10:25.