2SK1271

2SK1271. C(in): 1800pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochspannungsschalten. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 240W. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-3PN 13-16A1A. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 1400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.5V. Drain-Source-Schutz: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 05:25.