Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
0
Produktkategorien :
Audio
>
306
Automatisierung
>
19
Computer
>
56
Elektrischer Schutz
>
1127
Energie
>
1332
Freizeitelektronik
>
540
Gehäuse für Elektronik
>
1201
Halbleiter
>
14457
Kabel
>
1768
Kühlung
>
751
Mechanische Teile
>
439
Optoelektronik
>
1956
Passive Komponenten
>
14444
Relais
>
850
Reparieren
>
956
Schalter
>
929
Steckverbinder
>
5628
Transformatoren
>
554
Werkzeuge
>
1371
Halbleiter Transistoren

2SK1529

2SK1529
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 1 9.63€ 11.56€
2 - 2 9.14€ 10.97€
3 - 4 8.66€ 10.39€
5 - 9 8.18€ 9.82€
10 - 19 7.99€ 9.59€
20 - 29 7.80€ 9.36€
30 - 56 7.51€ 9.01€
Menge U.P
1 - 1 9.63€ 11.56€
2 - 2 9.14€ 10.97€
3 - 4 8.66€ 10.39€
5 - 9 8.18€ 9.82€
10 - 19 7.99€ 9.59€
20 - 29 7.80€ 9.36€
30 - 56 7.51€ 9.01€
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Menge auf Lager : 56
Set mit 1

2SK1529. C(in): 700pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochleistungsverstärkeranwendung. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1529. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekt-Silizium-N-Kanal-MOS-Typ. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 180V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SJ200. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.

Technische Dokumentation

Gleichwertige Produkte :

Ausverkauft
ECX10N20

ECX10N20

Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Ve...
ECX10N20
Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10P20. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS
ECX10N20
Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10P20. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS
Set mit 1
12.05€ inkl. MwSt
(10.04€ exkl. MwSt)
12.05€

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :
Per E-Mail
Verkaufsbedingungen

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Abonnieren Sie den Newsletter

Ich stimme dem Empfang von E-Mails zu und verstehe, dass ich mich nach der Registrierung jederzeit abmelden kann.

Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.