N-Kanal-Transistor, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530

N-Kanal-Transistor, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530. N-Kanal-Transistor, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 1mA. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-21F1B. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 900pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochleistungsverstärkeranwendung. G-S-Schutz: NINCS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1530. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekt-Silizium-N-Kanal-MOS-Typ. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 15/06/2025, 07:25.