2SK2480

2SK2480. C(in): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochspannungsschaltanwendungen. Id(imp): 12A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 63 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.