Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V - 2SK2611

N-Kanal-Transistor, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V - 2SK2611
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N-Kanal-Transistor, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V - 2SK2611. N-Kanal-Transistor, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2040pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1.6us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 27A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2611. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 95 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 18:25.

Technische Dokumentation

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