Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2700

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2SK2700. C(in): 750pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 9A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2700. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Hochspannungsschalt-DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

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C(in): 1200pF. Kosten): 20pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2717. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Hochspannungsschalt-DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: ja
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