Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2850

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2SK2850. C(in): 950pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 900ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.87 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -...+150°. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

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STW7NK90Z

STW7NK90Z

C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp)...
STW7NK90Z
C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W7NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
STW7NK90Z
C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W7NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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