2SK3699-01MR

2SK3699-01MR. C(in): 430pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 14.8A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3699. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.31 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.