2SK4012-Q

2SK4012-Q. C(in): 2400pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 52A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4012. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 70 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOS VI). G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.