2SK4075

2SK4075. C(in): 2900pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochstrom-Schaltanwendungen. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4075. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 52W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 54 ns. Td(on): 18 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Technologie: Leistungs-MOSFET, Feldeffekttransistor. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.