3DD4202BD

3DD4202BD. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20. Minimaler hFE-Gewinn: 16. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4202BD. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.18V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 490V. Vebo: 13V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.