Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

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3JU41. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Dioden-Tff (25 °C): 200 ns. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). MRT (maximal): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3JU. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD 8x6mm. Schwellenspannung Vf (max): 2V. VRRM: 600V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 3A
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 3A
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra-Fast Recovery. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 45A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V
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Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra-Fast Recovery. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 45A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V
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Cj: 50pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra fast switching. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms
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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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