Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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4N25-LIT

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4N25-LIT. CTR: 20...50 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Äquivalente: LTV-4N25. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V. VRRM: 5000V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 20 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. VRRM: 5000V. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler
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Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 6. Spec info: Eingangs-Ausgangs-Isolierung, min
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Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 6. Spec info: Eingangs-Ausgangs-Isolierung, min
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 20 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 2us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 2us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 70V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 7V. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler
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