Optokoppler - RPtronics

4N25

4N25. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Anzahl der Kanäle: 1. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgang: Transistorausgang m...

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4N25-500E

4N25-500E. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Gehäuse (...

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4N25-LIT

4N25-LIT. Anzahl der Terminals: 6. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 20...50 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodens...

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4N25SM

4N25SM. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 2us. Anzahl der Kanäle: 1. Ausgangstyp: Transistor. Ctr@if: 20%@10mA. Gehäuse: Gull wing 6. Isolationsspannung: 7.5kV. Montage/Installation: SMD. Optokopple...

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4N26

4N26. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 2us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Ausgangstyp: ...

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4N27

4N27. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 2us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Ausgangstyp: ...

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4N28

4N28. Anzahl der Terminals: 6. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 10...30 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwe...

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4N29

4N29. Anzahl der Terminals: 6. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. CTR: 100 %. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Gehäuse: DIP. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja...

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4N32

4N32. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Ausgangst...

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4N32M

4N32M. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Einschaltzeit tr [µsec.]: 5us. G...

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4N33

4N33. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Einschaltzeit tr [µsec.]: 5us. Ge...

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4N33M

4N33M. Anzahl der Terminals: 6. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 500 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diode IF: 80mA. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwe...

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4N35

4N35. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. Anzahl der Kanäle: 1. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgang: Transistorausgang ...

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4N35M. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Ausgangstyp...

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4N36. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Ausgangstyp:...

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4N37. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Ausgangstyp:...

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4N38

4N38. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Hinweis: 5.3kV/1min...

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4N46

4N46. Anzahl der Terminals: 6. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. CTR: >500 %. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Gehäuse: DIP. Hinweis: 3.5kV 5us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckm...

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6N134

6N134...

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6N135

6N135. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausgang: Transistorausgang. Baudrate: 1 MBit/s. Betriebstemperatur: -40...+85°C. CTR: 7...50 %. Diode IF: 25uA. Diodenleistung: 45mW. Diodenschwellenspannung: 1.4V. ...

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6N136

6N136. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.8us. Anzahl der Kanäle: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausgang: Transistorausgang. Ausgangstyp: Transistor. Baudrate: 1 MBit/s. Betriebstemperatur: -55...+10...

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6N136-F

6N136-F. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausgang: Transistorausgang. Baudrate: 1 MBit/s. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 19...24 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diode IF: 25mA. Diodenleistung: ...

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6N136-F-TOS

6N136-F-TOS. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.8us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: digital. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.8us. Gehäuse ...

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6N136-FAI

6N136-FAI. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.8us. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.8us. Geh..

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