Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 20 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. VRRM: 5000V. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD-6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 20 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD-6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 20 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

CTR: 20...50 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Äquivalente: LTV-4N25. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V. VRRM: 5000V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 20 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 2us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 2us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 70V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 7V. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 10%. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 2us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 2us. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 7V. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Anzahl der Kreise: 1. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

CTR: 10...30 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 2us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 70V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 7V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Iceo 10nA. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss

CTR: 100 %. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Anzahl der Terminals: 6

CTR: 500 %. Funktion: OPTOCOUPLER DC-IN 1-CH DARLINGTON WITH BASE DC-OUT. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. VRRM: 3.5 kV. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 500 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 5us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100us. Anzahl der Terminals: 6. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4.1 kV. Rate: 500 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 5us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100us. Maximale Ausgangsspannung (V): 60V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 500 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 5us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100us. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

CTR: 500 %. Diode IF: 80mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Spec info: ton 5us, toff 100us

CTR: 100 %. Diode IF: 60mA. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. VRRM: 5300V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. Anzahl der Terminals: 6. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 40...100 %. Diode IF: 100mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwellenspannung: 1.18V. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Teilung: 7.62mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 7.56mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 2us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. VECO: 10V. VRRM: 5300V. Anzahl der Terminals: 6

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 100 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. VRRM: 5300V. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

CTR: >100 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 10us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 10us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: -55°C. Sättigungsspannung VCE(sat): +100°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. VRRM: 5300V. Anzahl der Terminals: 6

Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Hinweis: CRT-->20%. Hinweis: 5.3kV/1min

CTR: >500 %. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: 3.5kV 5us

Baudrate: 1 MBit/s. CTR: 7...50 %. Diode IF: 25uA. Diodenleistung: 45mW. Diodenschwellenspannung: 1.4V. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP-8. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Hinweis: Delay Time to Low Output Level--0.09us. Hinweis: Delay Time to High Output Level--0.8us. Spec info: High speed, 1MBit/s typical

Baudrate: 1 MBit/s. CTR: 19...50 %. Diode IF: 25mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.45V. Kollektorstrom: 8mA. Ic(Impuls): 16mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VECO: 30 v. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s

Baudrate: 1 MBit/s. CTR: 19...24 %. Diode IF: 25mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diodenleistung: 45mW. Diodenschwellenspannung: 1.45V. Kollektorstrom: 8mA. Ic(Impuls): 16mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 24 %. Nenneingangsstrom (mA): 16mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.8us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.8us. Maximale Ausgangsspannung (V): 15V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 19 %. Nenneingangsstrom (mA): 25mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.8us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.8us. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Optokoppler, 1MBit/s

Baudrate: 1 MBit/s. CTR: 19...50 %. Diode IF: 25mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.45V. Kollektorstrom: 8mA. Ic(Impuls): 16mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VECO: 30 v. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 24 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10 ns. Maximale Ausgangsspannung (V): TTL. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C