Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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4N35M. CTR: 40...100 %. Diode IF: 100mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwellenspannung: 1.18V. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Teilung: 7.62mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 7.56mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 2us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. VECO: 10V. VRRM: 5300V. Anzahl der Terminals: 6. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.

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