4N33M

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 9	0.62€	0.74€
10 - 24	0.59€	0.71€
25 - 49	0.56€	0.67€
50 - 99	0.53€	0.64€
100 - 150	0.48€	0.58€

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Set mit 1

4N33M. CTR: 500 %. Diode IF: 80mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Spec info: ton 5us, toff 100us. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.

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