6N136-F. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausgang: Transistorausgang. Baudrate: 1 MBit/s. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 19...24 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 50mA. Diode IF: 25mA. Diodenleistung: 45mW. Diodenschwellenspannung: 1.45V. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Ic(Impuls): 16mA. Kollektorstrom: 8mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Spec info: High speed, 1MBit/s. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30