Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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ABS15G

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ABS15G. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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ABS15M

ABS15M

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke....
ABS15M
Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 1000V
ABS15M
Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 1000V
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ABS15J

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Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke....
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Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)
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Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)
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