N-Kanal-Transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A

N-Kanal-Transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A. N-Kanal-Transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 5.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 22m Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 630pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 16.8 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 25A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 20:25.