AO3400A

AO3400A. C(in): 630pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 16.8 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 5.7A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 22m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.