AO3407A

AO3407A. C(in): 520pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 4.1A. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.