AO3416

AO3416. C(in): 1160pF. Kosten): 187pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 17.7 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. Einschaltwiderstand Rds On: 18M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ESD-geschützt. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 18:25.