AO4716

AO4716. C(in): 2154pF. Kosten): 474pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 20mA. IDss (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0058 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Menge pro Karton: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 18:25.