AOD444

AOD444. C(in): 450pF. Kosten): 61pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 27.6 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Einschaltwiderstand Rds On: 47m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16 ns. Td(on): 4.2 ns. Technologie: „Neueste Trench Power MOSFET-Technologie“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 18:25.