AON6512

AON6512. C(in): 3430pF. Kosten): 1327pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: „Neueste Trench Power AlphaMOS-Technologie“. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 18:25.