AP40T03GP

AP40T03GP. C(in): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40T03 GP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 25m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 18:25.