Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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AP88N30W

AP88N30W
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2 - 2 10.60€ 12.72€
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AP88N30W. C(in): 8440pF. Kosten): 1775pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 88N30W. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 312W. Einschaltwiderstand Rds On: 48m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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IXTQ88N30P

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C(in): 6300pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Tr...
IXTQ88N30P
C(in): 6300pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 600W. Einschaltwiderstand Rds On: 40m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 6300pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 600W. Einschaltwiderstand Rds On: 40m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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