Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 8.78€ | 10.54€ |
2 - 2 | 8.34€ | 10.01€ |
3 - 4 | 7.91€ | 9.49€ |
5 - 9 | 7.47€ | 8.96€ |
10 - 19 | 7.29€ | 8.75€ |
20 - 29 | 7.12€ | 8.54€ |
30+ | 6.85€ | 8.22€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.78€ | 10.54€ |
2 - 2 | 8.34€ | 10.01€ |
3 - 4 | 7.91€ | 9.49€ |
5 - 9 | 7.47€ | 8.96€ |
10 - 19 | 7.29€ | 8.75€ |
20 - 29 | 7.12€ | 8.54€ |
30+ | 6.85€ | 8.22€ |
AP9575GP. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 20:25.
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