APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G. C(in): 1685pF. Kosten): 210pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 55ms. Funktion: Hochfrequenz-Schaltnetzteile. Kollektorstrom: 56A. Ic(Impuls): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 20:25.