Menge (Set mit 10) | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.23€ | 0.28€ |
5 - 9 | 0.22€ | 0.26€ |
10 - 24 | 0.21€ | 0.25€ |
25 - 49 | 0.21€ | 0.25€ |
50 - 99 | 0.20€ | 0.24€ |
100 - 149 | 0.19€ | 0.23€ |
150 - 955 | 0.18€ | 0.22€ |
Menge (Set mit 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.23€ | 0.28€ |
5 - 9 | 0.22€ | 0.26€ |
10 - 24 | 0.21€ | 0.25€ |
25 - 49 | 0.21€ | 0.25€ |
50 - 99 | 0.20€ | 0.24€ |
100 - 149 | 0.19€ | 0.23€ |
150 - 955 | 0.18€ | 0.22€ |
BAS316. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdiode. Produktionsdatum: 2014/22. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. Originalprodukt vom Hersteller Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 16:25.
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