BAW56

BAW56. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra High Speed Switching. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A1s. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 0.15uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1s. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. Originalprodukt vom Hersteller Yangjie Electronic Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.