NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC857C

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC857C. NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code 3G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 15:25.