BC859C
| Menge (Set mit 10) | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.62€ | 0.74€ |
| 5 - 9 | 0.59€ | 0.71€ |
| 10 - 12 | 0.56€ | 0.67€ |
| Menge (Set mit 10) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.62€ | 0.74€ |
| 5 - 9 | 0.59€ | 0.71€ |
| 10 - 12 | 0.56€ | 0.67€ |
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
BC859C. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3G/4C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 05:25.
Gleichwertige Produkte :
BC860C
C(in): 10pF. Kosten): 4.5pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial:...
C(in): 10pF. Kosten): 4.5pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 0.1A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BC850C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4g. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.25W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -68...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 4G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
C(in): 10pF. Kosten): 4.5pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 0.1A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BC850C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4g. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.25W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -68...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 4G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BC857C
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Ge...
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code 3G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code 3G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Wir empfehlen außerdem :
BC847C
Kosten): 4.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn:...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
ATMEGA8515-16JU
Hinweis: 35Prg. Anzahl der Terminals: 44. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BAT-CR1632
Typ: Lithiumbatterie. Spannung: 3V. Kapazität: 140mAh. Abmessungen: 16x3mm...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BFS17A
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.8GHz. Funktion: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Maximaler hFE-...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BC856B
Kosten): 4.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BC857B
RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfigur...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MMBF5458
C(in): 4.5pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: Uni sym. IDSS (max): 9mA. IDss (min): 2mA....
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
LNK304PN
RoHS: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 24 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage....
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
NFR-100-0R22
Widerstand: 0.22 Ohms. Leistung: 1W. Widerstandstyp: Metallschicht. Temperaturstabilität: 350ppm/°...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MOR1WS-0R22
Widerstand: 0.22 Ohms. Leistung: 1W. Widerstandstyp: Metallschicht. Temperaturstabilität: 300ppm/°...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.