Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.34€ | 0.41€ |
10 - 24 | 0.33€ | 0.40€ |
25 - 49 | 0.31€ | 0.37€ |
50 - 99 | 0.29€ | 0.35€ |
100 - 249 | 0.29€ | 0.35€ |
250 - 499 | 0.26€ | 0.31€ |
500 - 996 | 0.25€ | 0.30€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.34€ | 0.41€ |
10 - 24 | 0.33€ | 0.40€ |
25 - 49 | 0.31€ | 0.37€ |
50 - 99 | 0.29€ | 0.35€ |
100 - 249 | 0.29€ | 0.35€ |
250 - 499 | 0.26€ | 0.31€ |
500 - 996 | 0.25€ | 0.30€ |
BC868-25-115. Kosten): 22pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CDC. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 32V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code CDC. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 05:25.
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