Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BC868-25-115

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BC868-25-115. Kosten): 22pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CDC. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 32V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code CDC. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 05:25.

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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BL. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BL. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BL. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX53-16
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