BCR562E6327HTSA1

Menge (Set mit 10)	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	1.47€	1.76€
2 - 2	1.40€	1.68€
3 - 4	1.33€	1.60€
5 - 9	1.25€	1.50€
10 - 24	1.18€	1.42€

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Set mit 10

BCR562E6327HTSA1. Widerstand B: 4.7k Ohms. BE-Widerstand: 4.7k Ohms. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: PNP-Silizium-Digitaltransistor. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 500mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: XUs. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 08:25.

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