BCX41E6327

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 9	0.22€	0.26€
10 - 24	0.21€	0.25€
25 - 49	0.20€	0.24€
50 - 99	0.19€	0.23€
100 - 249	0.18€	0.22€
250 - 279	0.15€	0.18€

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Set mit 1

BCX41E6327. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NPN-Transistor, AF-Anwendungen und -Umschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 63. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: EKs. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...150°C. VCBO: 125V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX42. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 07:25.

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