Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD139-16-CDIL

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BD139-16-CDIL. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126 plastic. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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