Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BDT65C

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Set mit 1

BDT65C. Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT64C. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 13:25.

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