BDV64C-POW

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	6.08€	7.30€
2 - 2	5.77€	6.92€
3 - 4	5.47€	6.56€
5 - 9	5.16€	6.19€
10 - 19	5.04€	6.05€
20 - 21	4.92€	5.90€

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Set mit 1

BDV64C-POW. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 16:25.

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