BDW83C-PMC

BDW83C-PMC. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW84C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 16:25.