BPV11F

BPV11F

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BPV11F. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5us. Anzahl der Terminals: 3. Außenbreite [mm]: 5.75mm. Außendurchmesser [mm]: 5mm. Außenlänge [mm]: 8.6mm. Außenstärke [mm]: 5.75mm. Dominante Wellenlänge [nm]: 930nm. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Erfassungswinkel: 15°. Farbe: Infrarot. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: 5mm (T-1 3/4). Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±15°. Hinweis: 930nm 15°. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Komponentenfamilie: Phototransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +100°C.. RoHS: ja. Wellenlänge (dominant): 930nm. Wellenlänge: 950nm. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30

Technische Dokumentation (PDF)
BPV11F
22 Parameter
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
5us
Anzahl der Terminals
3
Außenbreite [mm]
5.75mm
Außendurchmesser [mm]
5mm
Außenlänge [mm]
8.6mm
Außenstärke [mm]
5.75mm
Dominante Wellenlänge [nm]
930nm
Einschaltzeit tr [µsec.]
6us
Erfassungswinkel
15°
Farbe
Infrarot
Gehäuse
5mm (T-1 3/4)
Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]
±15°
Hinweis
930nm 15°
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
70V
Kollektorstrom Ic [A], max.
50mA
Komponentenfamilie
Phototransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+100°C.
RoHS
ja
Wellenlänge (dominant)
930nm
Wellenlänge
950nm
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay