Fototransistoren und Fotodioden (Empfang)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Dominante Wellenlänge [nm]: 850nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±55°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 9us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 9us. Außendurchmesser [mm]: 4.3mm. Außenlänge [mm]: 5.5mm. Außenbreite [mm]: 5.5mm. Außenstärke [mm]: 3.6mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +80°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PIN-Fotodiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 4.65x4.3mm. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5.08mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 925nm. Schließspannung Ur[V], max.: 60V. Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]: 30nA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 100 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100 ns. Außenlänge [mm]: 4.65mm. Außenbreite [mm]: 4.3mm. Außenstärke [mm]: 2mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PIN-Fotodiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 5mm (T-1 3/4). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 940nm. Schließspannung Ur[V], max.: 60V. Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]: 5nA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±20°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 2.5 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 2.5 ns. Außendurchmesser [mm]: 5mm. Außenlänge [mm]: 8.6mm. Außenbreite [mm]: 5.75mm. Außenstärke [mm]: 5.75mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Wellenlänge (dominant): 850nm. RoHS: ja. Farbe: Infrarot. Hinweis: 850nm 15°. Hinweis: LED 5mm. Hinweis: Infrarot-Fototransistor. Hinweis: 850nm, 1nA, 70V, 50mA, 150mW

RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): 930nm 15°. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 5mm (T-1 3/4). Dominante Wellenlänge [nm]: 930nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±15°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5us. Außendurchmesser [mm]: 5mm. Außenlänge [mm]: 8.6mm. Außenbreite [mm]: 5.75mm. Außenstärke [mm]: 5.75mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 1.8mm (T-3/4). Gehäuse (JEDEC-Standard): 50mA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Dominante Wellenlänge [nm]: 825nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±12°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4.8us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5us. Außendurchmesser [mm]: 1.8mm. Außenlänge [mm]: 3.3mm. Anzahl der Terminals: 2. Außenbreite [mm]: 2.4mm. Außenstärke [mm]: 3.4mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PN-Fotodiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-5. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 565nm. Schließspannung Ur[V], max.: 10V. Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]: 30nA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±50°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3.1us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3.0us. Außendurchmesser [mm]: 8.13mm. Außenlänge [mm]: 9.1mm. Außenbreite [mm]: 9.1mm. Außenstärke [mm]: 3.1mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PIN-Fotodiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 4.65x4.3mm. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 900nm. Schließspannung Ur[V], max.: 60V. Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]: 30nA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 100 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100 ns. Außenlänge [mm]: 4.65mm. Außenbreite [mm]: 4.3mm. Außenstärke [mm]: 2mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PIN-Fotodiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 4.65x4.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 900nm. Schließspannung Ur[V], max.: 60V. Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]: 30nA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 100 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100 ns. Außenlänge [mm]: 4.65mm. Außenbreite [mm]: 4.3mm. Außenstärke [mm]: 2mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PIN-Fotodiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): 215mW. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 950nm. Schließspannung Ur[V], max.: 60V. Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]: 30nA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 100 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100 ns. Außenlänge [mm]: 5mm. Außenbreite [mm]: 4mm. Außenstärke [mm]: 6.8mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Dominante Wellenlänge [nm]: 850nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±10°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5us. Außendurchmesser [mm]: 4.69mm. Außenlänge [mm]: 6.15mm. Außenbreite [mm]: 5.5mm. Außenstärke [mm]: 5.5mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 5mm (T-1 3/4). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 850nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±20°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 2us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 2.3us. Außendurchmesser [mm]: 5mm. Außenlänge [mm]: 8.6mm. Außenbreite [mm]: 5.75mm. Außenstärke [mm]: 5.75mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Betrachtungswinkel: 20°. Wellenlänge (dominant): 850nm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Infrarot 850 nm, 200, 180 MHz. Hinweis: VCEO 70V, VECO 5V, IC 50mA. Hinweis: Empfängerseite

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse (JEDEC-Standard): Fototransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 850nm. Gehäuse: 2.4x2.4mm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±18°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 6us. Außenlänge [mm]: 2.4mm. Außenbreite [mm]: 2.4mm. Außenstärke [mm]: 3.6mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +80°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Dominante Wellenlänge [nm]: 830nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±8°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 9us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 9us. Außendurchmesser [mm]: 4.8mm. Außenlänge [mm]: 5.4mm. Außenbreite [mm]: 5.6mm. Außenstärke [mm]: 5.6mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Komponentenfamilie: Infrarot-Fototransistor. Wellenlänge: 900nm. Durchmesser: 3 mm. Linsentyp: transparent. Erfassungswinkel: 30°

Betrachtungswinkel: 30°. Material: transparentes Blau. Kanaltyp: N. Verschiedenes: Infrarot-Fototransistor (Empfänger). Funktion: NPN-Fototransistor. Wellenlänge (dominant): 940nm. Kollektorstrom: 3mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Farbe: Infrarot. Tf (Typ): 15us. Gehäuse: LED 5mm. Gehäuse (laut Datenblatt): zylindrisch konvex T-1 3/4. Tr: 15 ns. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. VECO: 5V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: blaue transparente Linse

Wellenlänge (dominant): 940nm. Kollektorstrom: 3mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Farbe: Infrarot. Tf (Typ): 15us. Gehäuse: LED 5mm. Gehäuse (laut Datenblatt): zylindrisch konvex T-1 3/4. Tr: 15us. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. VECO: 5V. Komponentenfamilie: Infrarot-Fototransistor. Wellenlänge: 940nm. Durchmesser: 5mm. Linsentyp: transparent. Erfassungswinkel: 30°. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: transparente Linse

Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Farbe: Infrarot. Tf (Typ): 15us. Gehäuse: LED 3mm. Tr: 15us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. VECO: 5V. Komponentenfamilie: Infrarot-Fototransistor. Wellenlänge: 940nm. Durchmesser: 3 mm. Linsentyp: transparentes Blau. Erfassungswinkel: 30°

Komponentenfamilie: Infrarot-Fototransistor. Wellenlänge: 940nm. Durchmesser: 3 mm. Linsentyp: transparent. Erfassungswinkel: 30°

Betrachtungswinkel: 24°. Funktion: Fototransistor. Wellenlänge (dominant): 900nm. Kollektorstrom: 15mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Anzahl der Terminals: 2

Betrachtungswinkel: 120°. Wellenlänge (dominant): 950nm. Kapazität: 72pF. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 20 ns. Gehäuse: TO-92. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. VRRM: 32V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Infrarotdiode. Spec info: Kurze Schaltzeit

Durchmesser: 5mm. Betrachtungswinkel: 20°. Material: transparent. Eigenschaften: zylindrisch konvex. Funktion: Silicon PIN Photodiode. Wellenlänge (dominant): 850nm. Kapazität: 11pF. Pd (Verlustleistung, max): 150mW°. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: LED 5mm. Tr: 0.005us. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. VRRM: 20V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Kurze Schaltzeit

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Fototransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: rechteckig, 5,08 x 4,44 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 880nm. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5mA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±25°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 8us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 8us. Außenlänge [mm]: 5.08mm. Außenbreite [mm]: 4.44mm. Außenstärke [mm]: 2.54mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PIN-Fotodiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 5mm (T-1 3/4). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Dominante Wellenlänge [nm]: 850nm. Schließspannung Ur[V], max.: 20V. Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]: 5nA. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±20°. Einschaltzeit tr [µsec.]: 5 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5 ns. Außendurchmesser [mm]: 5mm. Außenlänge [mm]: 9mm. Außenbreite [mm]: 5.1mm. Außenstärke [mm]: 5.1mm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C