BPW41N

BPW41N

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BPW41N. Abmessungen: 7x4x3mm. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 100 ns. Anzahl der Terminals: 2. Außenbreite [mm]: 4mm. Außendurchmesser [mm]: -. Außenlänge [mm]: 5mm. Außenstärke [mm]: 6.8mm. Betrachtungswinkel: 130°. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Dominante Wellenlänge [nm]: 950nm. Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]: 30nA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 100 ns. Erfassungswinkel: 65°. Funktion: Empfängerseitige Fotodiode. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TO-92. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Komponentenfamilie: PIN-Fotodiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +100°C.. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 215mW. RoHS: ja. Schließspannung Ur[V], max.: 60V. Tf (Typ): 100 ns. Vr: 60V. Wellenlänge (dominant): 950nm. Wellenlänge: 950nm. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30

Technische Dokumentation (PDF)
BPW41N
27 Parameter
Abmessungen
7x4x3mm
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
100 ns
Anzahl der Terminals
2
Außenbreite [mm]
4mm
Außenlänge [mm]
5mm
Außenstärke [mm]
6.8mm
Betrachtungswinkel
130°
Betriebstemperatur
-55...+100°C
Dominante Wellenlänge [nm]
950nm
Einschaltstrom, Dunkelstrom Ir [µA]
30nA
Einschaltzeit tr [µsec.]
100 ns
Erfassungswinkel
65°
Funktion
Empfängerseitige Fotodiode
Gehäuse
TO-92
Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]
±65°
Komponentenfamilie
PIN-Fotodiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+100°C.
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
215mW
RoHS
ja
Schließspannung Ur[V], max.
60V
Tf (Typ)
100 ns
Vr
60V
Wellenlänge (dominant)
950nm
Wellenlänge
950nm
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay