BPX81

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BPX81. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 6us. Anzahl der Terminals: 2. Außenbreite [mm]: 2.4mm. Außendurchmesser [mm]: -. Außenlänge [mm]: 2.4mm. Außenstärke [mm]: 3.6mm. Betriebstemperatur: -40...+80°C. Dominante Wellenlänge [nm]: 850nm. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: 2.4x2.4mm. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±18°. Hinweis: Fototransistor. Ic(Impuls): 200mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Kollektorstrom: 50mA. Komponentenfamilie: Phototransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +80°C.. RoHS: ja. Tr: 7us. Originalprodukt vom Hersteller: Osram. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30

BPX81
22 Parameter
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
6us
Anzahl der Terminals
2
Außenbreite [mm]
2.4mm
Außenlänge [mm]
2.4mm
Außenstärke [mm]
3.6mm
Betriebstemperatur
-40...+80°C
Dominante Wellenlänge [nm]
850nm
Einschaltzeit tr [µsec.]
6us
Gehäuse
2.4x2.4mm
Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]
±18°
Hinweis
Fototransistor
Ic(Impuls)
200mA
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
35V
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
32V
Kollektorstrom Ic [A], max.
50mA
Kollektorstrom
50mA
Komponentenfamilie
Phototransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+80°C.
RoHS
ja
Tr
7us
Originalprodukt vom Hersteller
Osram