BSP60-115

BSP60-115. BE-Widerstand: 150 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: hoher Gleichstrom, Relaistreiber, Lampentreiber. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BSP50. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 21:25.