BSR51

BSR51. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 21:25.